氧化铝陶瓷基片

精密加工与表面平整度
采用高精度研磨抛光工艺，表面粗糙度可达Ra≤0.1μm，满足微电路印刷和芯片贴装的严苛要求。基片厚度公差可控制在±0.02mm内，确保批量产品的一致性。

优异的电绝缘与介电性能
体积电阻率：>10¹⁴ Ω·cm（500℃环境下）
介电常数：9-10（1MHz）
击穿场强：≥12 kV/mm
这些特性使其在高频电路和高压应用中表现突出。

高热导率与热稳定性
热导率：25 W/(m·K)（96%氧化铝规格）
热膨胀系数：6.5×10⁻⁶/℃（与硅芯片匹配）
最高工作温度：1600℃
确保在高功率器件中有效散热并保持尺寸稳定。

强化机械性能
抗弯强度：≥300 MPa（三点弯曲测试）
抗压强度：≥2000 MPa
维氏硬度：1600HV1
密度：3.7 g/cm³（96%纯度规格）
兼具轻量化与高承载能力，适应振动环境应用。

1. 电子封装基板

• 功率模块绝缘基板（IGBT、MOSFET）
• 多层陶瓷电路板（LTCC/HTCC）
• 射频微波器件载体

2. 半导体制造

• 晶圆加工承载环
• 等离子刻蚀夹具
• 高温工艺托盘

3. 新能源领域

• 燃料电池双极板
• 锂电池隔膜涂层基材
• 光伏逆变器散热基板

4. 特种传感器

• 高温压力传感器基底
• MEMS器件支撑平台
• 光学检测反射基体

作为专业陶瓷零部件制造商，我们提供从95%到99.8%不同纯度等级的氧化铝基片定制服务，支持最大尺寸600×600mm的基板生产，并可根据需求进行金属化处理（覆铜、镀金、钼锰层等）。通过材料配方优化和结构设计创新，我们的陶瓷基片解决方案已成功应用于5G基站功率放大器、电动汽车电控系统、卫星有效载荷等尖端领域，持续为客户的设备小型化、高功率化和高温可靠运行提供基础材料保障。